Модули серии IGBT BSM50GAL120DN2 BSM50GB120DN2
от 1 100 ₴
- Готово к отправке
- Код: BSM50GAL120DN2
Модули серии IGBT BSM50GAL120DN2 BSM50GB120DN2Готово к отправке
от 1 100 ₴
+380 (93) 107-29-69
відділ продажу- +380 (67) 549-30-11відділ продажу
- +380 (95) 008-94-62відділ продажу
- +380 (50) 320-11-20
- +380 (56) 781-11-20
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: BSM50GAL120DN2
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 56
Емкость коллектора (Cc), pf: 500
Тип корпуса: MODULE
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Срок службы | 8000 час |
Информация для заказа
- Цена: от 1 100 ₴
- Способ упаковки: упаковка 1 шт