TGAN40N60F2 TGAN40N60F2DS TGAN40N60F2D дискретний IGBT-транзистор
від 150 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 250 ₴
- Готово до відправки
- Код: CS150N04A8
TGAN40N60F2 TGAN40N60F2DS TGAN40N60F2D дискретний IGBT-транзисторГотово до відправки
від 150 ₴
+380 (93) 107-29-69
відділ продажу- +380 (67) 549-30-11відділ продажу
- +380 (95) 008-94-62відділ продажу
- +380 (50) 320-11-20
- +380 (56) 781-11-20
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
| Польовий транзистор | |
| Канал | IGBT |
| Корпус | TO-3P |
| Макс. напруга drain-source (Uds), В | 600 |
| Макс. напруга gate-source (Ugs), В | 20 |
| Макс. імпульсний струм drain (Id), А | 120 |
| Макс. потужність, що розсіюється (Pd), Вт | 94 |
| Макс. температура каналу (Tj), °C | 150 |
| Вихідна ємність (Cd), pF | 135 |
| Час наростання типовий (tr), nS | 17 |
| Макс. постійний струм drain (Id), А | 40 |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Термін служби | 10000 годин |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
Інформація для замовлення
- Ціна: від 150 ₴
- Спосіб упаковки: паковання 1 шт.