SKM195GB066D - электроизолированный IGBT модуль Semikron.

SKM195GB066D — IGBT модуль SEMIKRON

Має наступні основні параметри:

• номінальна напруга — U=600 V;
• тривало допустимий струм колектора при температурі корпусу 25 градусів — IC@ (TC=25ºC) =265A;
• тривало допустимий струм колектора при максимальній температурі корпусу — ІСпом=200A;
• напруга насичення колектор-емітер — VCEsat=1.45 V;
• втрати енергії при включенні — Eon=14mJ;
• втрати енергії на вимикання — Eoff=8mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.22 K/W;
• прямий струм (зворотного діода) при температурі корпусу 25 градусів — IF@ (TC=25ºC) =200A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=1.4 В;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=5.6 mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.4 K/W.
• корпус — SEMITRANS 2.

Ціна може бути змінена без попередження при коливаннях курсу євро.