
IGBT модулі, транзистори SEMIKRON SKIIP
від 3 000 ₴
- Під замовлення
- Код: FF100R12KS4
Відправка з 22 квітня 2026- +380 (67) 549-30-11відділ продажу
- +380 (95) 008-94-62відділ продажу
- +380 (50) 320-11-20
- +380 (56) 781-11-20
Компанія SEMIKRON виробляє IGBT модулі, напівмости, IGBT транзистори, модулі в різних корпусах, які відповідають певним технологічним характеристикам. Розрізняють вісім різновидів корпусів: SEMITRANS, SEMiX, SEMITOP,SKiiP IPM, Mini SKiiP, Mini SKiiP IPM, SKIM 4/5,SKIM 63/93.
SEMIKRON виробляє різноманітні типи силових напівпровідникових приладів:
- Модули IGBT.
- Інтелектуальні модулі IGBT.
- Модулі MOSFET.
- Драйвери IGBT.
- Тиристатори та діоди як у модульному виконанні, так і в дискретному.
IGBT транзистори
Біполярний транзистор з ізольованим закривом (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — триелектродний силовий електронний прилад, який використовується переважно як потужний електронний ключ в імпульсних джерелах живлення, інверторах, у системах керування електричними приводами.
IGBT транзистори витісняють тиристори з високовольтних схем перетворення частоти та дають змогу створити імпульсні джерела вторинного електроживлення з якісними найкращими характеристиками.
IGBT напівмости та модулі
Semikron випускає широку гаму силової продукції в діапазоні струмів від 1 А до 100 А й напруги від 200 В до 3000 В. Найвідоміші випрямлячі IGBT напівмости та діоди на великі струми.
Сьогодні компанія SEMIKRON пропонує вісім типів модулів IGBT в стандартних конструктивах із робочою напругою 600, 1200 і 1700 В.
IGBT транзистори використовуються досить широко в інверторах для керування електродвигунами, у потужних системах безперебійного живлення з напруженнями понад 1 кВ і струмами в сотні амперів
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Термін служби | 10000 годин |
- Ціна: від 3 000 ₴
- Спосіб упаковки: паковання 1 шт.


