Транзистры TOSHIBA GT50 биполярные IGBT, Транзистор FGA40T65SHD біполярний
від 170 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 225 ₴
- В наявності
- Код: FGA40T65SHD
Транзистры TOSHIBA GT50 биполярные IGBT, Транзистор FGA40T65SHD біполярнийВ наявності
від 170 ₴
+380 (93) 107-29-69
відділ продажу- +380 (67) 549-30-11відділ продажу
- +380 (95) 008-94-62відділ продажу
- +380 (50) 320-11-20
- +380 (56) 781-11-20
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор FGA40T65SHDпаковання No4 — 20.09.2023р
Технічні характеристики
| Виробник | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD) |
| Корпус | TO-3PN |
| Потужність розсіювання за 25 °C | 268 Вт |
| Робоча температура | -55°C |
GT50J121 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT50J121 High Power Switc.
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Країна виробник | Японія |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип польового транзистора | З керуючим p-n переходом |
| Тип монтажу | Поверхневий |
Інформація для замовлення
- Ціна: від 170 ₴
- Спосіб упаковки: паковання 1 шт.